儀器配有兩種光源電極臺(tái)，一種波長(zhǎng)為1.07μm，適合于測(cè)量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長(zhǎng)為0.904～0.905μm，適合于測(cè)量切割或研磨太陽(yáng)能硅片的相對(duì)壽命，與微波反射法測(cè)量條件相近，因此測(cè)量值也較接近。
該儀器擴(kuò)大了晶體少子壽命可測(cè)范圍，配有波長(zhǎng)為1.07μm的紅外發(fā)光管外及0.904～0.905μm的紅外激光器，使晶體（研磨面）可測(cè)電阻率為0.3Ω·cm，壽命可測(cè)為0.25μs。
高頻少子壽命測(cè)試儀（測(cè)單晶用）是按照半導(dǎo)體設(shè)備和材料MF1535-0707及GB/T 26068的要求，采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量。
測(cè)量太陽(yáng)電池級(jí)硅片、高阻單晶的測(cè)試要求，還可測(cè)量硅塊亦可測(cè)量硅片（硅片可放在托架上測(cè)量）。
儀器配備的數(shù)字存儲(chǔ)示波器內(nèi)置軟件可直接讀取壽命值。
規(guī)格參數(shù)：
測(cè)量型號(hào)：N型或P型單晶或鑄造多晶
測(cè)量范圍：0.25μS-10ms
電阻率下限：≥0.3Ω·cm
光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率：＞15次/S
脈寬范圍：≥10μs
紅外光源波長(zhǎng)：1.06-1.08μm
脈沖電流：5A-16A
紅外光源短波長(zhǎng)：0.904-0.905μm
脈沖電流：5A-16A
高頻源
頻率范圍：30MHz
輸出功率：＞1W
放大器、檢波器
頻率響應(yīng)：2Hz-2MHz
放大倍數(shù)：約30倍
光源電極臺(tái)：測(cè)量低阻樣片用；可測(cè)縱向放置的單晶、測(cè)量豎放單晶橫截面的壽命。
讀數(shù)方式：可選配測(cè)試軟件或數(shù)字示波器讀數(shù)
測(cè)試軟件：具有自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及測(cè)試點(diǎn)衰減波形，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀(測(cè)單晶)
