本測試儀是多用途綜合測量裝置，開展半導體材料的電阻性能的測試。由四探針測試儀和非晶硅薄膜電導率測量儀組成。四探針測試儀由主機、測試架等部分組成，測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。主機主要由高靈敏度直流數(shù)字電壓表和高穩(wěn)定度
恒流源組成。非晶硅薄膜電導率測量儀由樣品室、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、高阻測量系統(tǒng)等部分組成。
測量范圍：
電阻范圍：1×10⁶～1×10¹⁷Ω；
電 阻 率：0.001～200Ωcm
電 導 率：0.005～1000s/cm
可測晶片直徑： 200mmX200mm
探    針：碳化鎢或高速鋼
探針間距：1±0.01mm
針間，緣電阻：≥1000MΩ
機械游移率：≤0.3%
本底真空度：≤10Pa
氣壓可控范圍：10～400Pa
襯底加熱 溫度：室溫～200℃