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日本科學家利用化合物半導體制作高性能光開關

2012-12-3  閱讀(3286)

 北京錦坤科技有限公司www.jonkon.com.cn

【高工LED綜合報道】 日本早稻田大學的宇高勝之教授等人,在日立制作所的協(xié)助下,開發(fā)出可以超高速分配光通信信號的化合物半導體制的高性能光開關(Switch)。該小組下功夫研究組件的構造,防止偏光造成的性能劣化。2010年中可望實用為大容量光網絡的關鍵零組件。

光通信必*將光纖傳輸的信號,依對象予以分配的開關技術。以現有的光開關而言,分配需時數毫秒~數微秒;未來的高速通信,被要求需縮短至數納秒水平。研究小組以適合控制高速信號與小型化的化合物半導體,InAlGaAs等材料,試制分配輸入信號的簡易開關。基板 材料由日立提供。具體言之,使光信號分岔成2條路徑,若僅在單一條路徑自電極注入電子,則光的傳播方向產生偏差。再將這些光重新重迭聚合,使其可以僅朝希望的方向輸出信號。

傳統(tǒng)的半導體開關,因為輸入的光的偏光,會造成輸出信號質量降低;宇高教授等人將半導體的一部份挖深等,下功夫研究開關的設計,以減少偏光的影響。不管光朝縱、橫任何方向振動,都可以高精度予以分配。據說,分配的時間也大幅縮短至約3納秒。

利用新開關,控制信號所需的電力約為5mW,為原來的1/10以下。未來即使光網絡的信息量增加,預期信息機器、通信網等的耗電量也可以控制。研究小組將持續(xù)研究、改良,防止開關造成光信號的衰減,預計2010年左右付諸實用。
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