MAA/PEG/BSA修飾ZnO量子點(diǎn)

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MAA/PEG/BSA修飾ZnO量子點(diǎn)

ZnO 作為II-VI族半導(dǎo)體材料，具有電子親和勢(shì)和遷移率、激子束縛能大等特點(diǎn)，在熱、光、電和磁等方面表現(xiàn)出的性能，并被應(yīng)用于能源、光電子和化工等諸多領(lǐng)域。ZnO量子點(diǎn)較的比表面積和比表面能所引起的團(tuán)聚現(xiàn)象，程度上限制了量子點(diǎn)的性質(zhì)，所以采用表面修飾的方法來改變ZnO 量子點(diǎn)的團(tuán)聚現(xiàn)象及其尺寸穩(wěn)定性。

制備方法：采用溶膠－凝膠工藝方法制備ZnO量子點(diǎn)。先，向濃度為0. 1mol/L的Zn(Ac)2·2H2O甲醇溶液（125 mL)中逐滴加入濃度為0. 4 mol/L的KOH甲醇溶液（65mL),升溫至60℃后持續(xù)反應(yīng)并攪拌3. 5h,得到渾濁液體。隨后經(jīng)靜置、離心、洗滌等重復(fù)操作，得到純凈的ZnO量子點(diǎn)。分別將獲得的ZnO量子點(diǎn)一部分溶于氯仿／甲醇（9:1)混合溶劑中制成濃度為50mg/mL的ZnO量子點(diǎn)溶膠，另一部分干燥成純白色ZnO粉末用于后續(xù)樣品測(cè)試。為了獲得表面修飾的ZnO量子點(diǎn)，制備過程中將不同添加量的PEG加入到Zn(Ac)2-2H2O甲醇溶液中，在60℃下攪拌1h,之后步驟與上述方法相同。

結(jié)論：PEG能夠涂覆在ZnO量子點(diǎn)表面對(duì)其修飾，且不影響ZnO本身的晶體成分和結(jié)構(gòu)。PEG修飾后的ZnO量子點(diǎn)在400~500nm波長區(qū)域的缺陷態(tài)發(fā)射度減小，且修飾后的ZnO量子點(diǎn)團(tuán)聚現(xiàn)象得到，分散加均勻，粒徑尺寸小。PEG修飾后的ZnO量子點(diǎn)紫外－可見吸收閾值變化較小，光學(xué)穩(wěn)定性提。

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