功能特性
超小電容測量能力：能夠測量大范圍的電容，可低至 < 1pF，甚至能實現(xiàn)飛法（fF）或 1e-15 范圍內(nèi)的超低電容測量，適用于測量金屬到金屬的電容、晶片上的互連電容、MEMS 器件如開關(guān)、納米器件端子之間的電容等。
寬頻率范圍：可在 1kHz 至 10MHz 的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行測量，且頻率分辨率為 1kHz2。
低噪聲測量：通過將 1V AC 電源集成到吉時利行業(yè)的 CVU 架構(gòu)中，實現(xiàn)了低噪聲電容測量12。
多參數(shù)測量：可測量電容、電導(dǎo)和導(dǎo)納12。
多通道測量支持：搭配 4200A - CVIV 多路開關(guān)，最多可實現(xiàn)四個通道的測量122。
電路設(shè)計與控制
電路設(shè)計：采用的電路設(shè)計，為精確測量提供了硬件基礎(chǔ)。
軟件控制：由 Clarius + 軟件控制，支持校準(zhǔn)和診斷工具，確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。
測量技術(shù)與連接
測量方式：支持雙線和四線測量。四線測量能通過盡可能接近設(shè)備測量電壓來進(jìn)行更敏感的測量；如果電纜較短且使用補(bǔ)償，雙線傳感也可實現(xiàn)優(yōu)良測量。
連接特性：標(biāo)配紅色 SMA 電纜，特征阻抗為 100Ω，兩根并聯(lián)具有 50Ω 特性阻抗，適用于高頻源測量應(yīng)用。提供的附件允許通過 BNC 或 SMA 連接件連接到測試夾具或探針上。
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體行業(yè)：可用于半導(dǎo)體器件研發(fā)、生產(chǎn)過程中的電容測量，如對芯片內(nèi)部的微小電容進(jìn)行檢測，以確保芯片性能和質(zhì)量。
MEMS 領(lǐng)域：針對 MEMS 開關(guān)等器件的電容測量，有助于 MEMS 器件的設(shè)計、制造和性能評估。
納米技術(shù)研究：在納米器件的研發(fā)中，用于測量納米器件端子之間的電容，為納米技術(shù)的發(fā)展提供關(guān)鍵測量數(shù)據(jù)。
化工儀器網(wǎng)