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詳細(xì)介紹
冷熱沖擊試驗(yàn)箱Thermal Shock Test概述
1.冷熱沖擊試驗(yàn)箱是模擬周圍大氣溫度急劇變化條件下的適應(yīng)性試驗(yàn)（沖擊），應(yīng)用于半導(dǎo)體元器件、OLED、EVA、PCB、IC芯片、集成電路等作溫度快速變化條件下熱脹冷縮產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害，是確認(rèn)產(chǎn)品品質(zhì)的理想測(cè)試工具（可靠性試驗(yàn)）。
2.控制系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)：中英文菜單式人機(jī)對(duì)話操作方式，有開(kāi)機(jī)自檢功能、溫度線性校正、自動(dòng)停機(jī)、系統(tǒng)預(yù)約定時(shí)啟動(dòng)功能；實(shí)現(xiàn)工業(yè)自動(dòng)化，帶數(shù)據(jù)交互功能，能與客戶主機(jī)鏈接實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控，了解設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)，可以通過(guò)任何移動(dòng)終端監(jiān)控。
冷熱沖擊試驗(yàn)箱Thermal Shock Test性能
1.溫度沖擊范圍：-40℃～+150℃、-55℃～+150℃、-65℃～+150℃。（高溫可定制：+200℃）
2.高低溫區(qū)溫度范圍：
A.高溫蓄能區(qū)：室溫～+165℃。
B.低溫蓄能區(qū)：室溫～-55℃、室溫～-70℃、室溫～-80℃。
3.測(cè)試區(qū)溫度范圍：
A.高溫沖擊溫度范圍：+50℃～+150℃。
B.低溫沖擊溫度范圍：-10℃～-40℃、-10℃～-55℃、-10℃～-65℃。
4.溫度波動(dòng)度：±0.5℃。
5.溫度均勻度：±2.0℃。
6.高溫區(qū)升溫時(shí)間：RT（室溫）～＋165℃小于 35min（室溫在＋10～＋25℃時(shí)）。
7.低溫區(qū)降溫時(shí)間：RT（室溫）～-55℃小于 75min（室溫在＋10～＋25℃時(shí)）。
8.低溫沖擊溫度恢復(fù)和轉(zhuǎn)換時(shí)間：≤5min。（可定制溫變速率為：10℃/min；15℃/min；20℃/min；25℃/min，線性與非線性溫變）
9.試驗(yàn)測(cè)試溫度范圍：-40℃～+85℃；-40℃～+120℃；-55℃～+125℃；-65℃～+150℃。（按要求選擇）
10.高溫槽與低溫槽風(fēng)門切換時(shí)間：≤3S。
11.試品重量：≤8 KG。（可按需求定制）
12.整機(jī)噪聲：＜75 dB。
13.使用電源：AC3∮5W 380V±10% ；50HZ。
14.總功率：15.5KW。
15.大工作電流：25.0A。
16.重量約：480KG。
17.在無(wú)試驗(yàn)負(fù)荷、無(wú)層架情況下穩(wěn)定20分鐘后測(cè)定的性能。
18.溫度均勻度定義為：實(shí)驗(yàn)機(jī)幾何中心點(diǎn)處（計(jì)量單位空間9點(diǎn)測(cè)溫法）。
19.設(shè)備制造標(biāo)準(zhǔn)：GB/T10586-2006，GB/T10592-1989。
20.設(shè)備檢定標(biāo)準(zhǔn)：GB/T5170.2-1996，GB/T5170.5-1996。
冷熱沖擊試驗(yàn)箱測(cè)試條件
1.GB2423.2-2008（IEC68-2-2）試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法。
2.GJB150.3A-2009（MIL-STD-810D）高溫試驗(yàn)方法。
3.GB/T2423.1-1989 低溫試驗(yàn)方法。
4.GB/T2423.2-1989 高溫試驗(yàn)方法。
5.GB/T2423.22-1989 溫度變化試驗(yàn)。
6.GJB150.5-86 溫度沖擊試驗(yàn)。
7.GJB360.7-87 溫度沖擊試驗(yàn)。
8.GJB367.2-87 405 溫度沖擊試驗(yàn)。
9.國(guó)軍標(biāo) GJB150.3-2009/GJB150.4-2009。
10.MIT-STD-883E Method 1011.9。
11.JESD22-B106。
12.EIAJED- 4701-B-141。