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1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P說明書

2019-3-13  閱讀(1852)

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graphene-supermarket 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P說明書

 

CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 8 Pack

在SiO2 / Si晶片上的CVD石墨烯薄膜/ CVD h-BN薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu):8個(gè)裝

CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 8 Pack

 

石墨烯/ h-BN薄膜的性質(zhì):

單層h-BN膜上的單層石墨烯膜  轉(zhuǎn)移到285nm(p摻雜)SiO 2 / Si晶片上

尺寸:1cmx1cm; 8包

每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制

該產(chǎn)品的覆蓋率約為98%

薄膜是連續(xù)的,有小孔和有機(jī)殘留物

高結(jié)晶質(zhì)量

石墨烯薄膜預(yù)先單層(超過95%),偶爾有小的多層島(低于5%的雙層)

薄層電阻:430-800Ω/平方

轉(zhuǎn)移下面顯示的每部電影

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長(zhǎng),然后轉(zhuǎn)移到SiO 2 / Si晶片上。

要在轉(zhuǎn)移前查看薄膜的特性,請(qǐng)參閱我們的相關(guān)產(chǎn)品  銅箔上的石墨烯 和  銅箔上的h-BN。

 

硅/二氧化硅晶片的特性:

氧化層厚度:285nm

氧化層厚度:285nm

顏色:紫羅蘭色

晶圓厚度:525微米

電阻率:0.001-0.005歐姆 - 厘米

型號(hào)/摻雜劑:P /硼

方向:<100>

前表面:拋光

背面:蝕刻

 

應(yīng)用:

石墨烯/ hBN界面用于需要門控石墨烯,增加遷移率和減少散射的場(chǎng)合。

h-BN作為基于石墨烯的電子器件的基底具有吸引力,因?yàn)槠浔砻嬖蛹?jí)光滑,沒有懸空鍵,并且具有與石墨烯類似的結(jié)構(gòu)。

在石墨烯上使用我們的SiO2 / Si晶片上的h-BN將鼓勵(lì)您探索用于晶體管應(yīng)用的石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)

 

我們的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA輔助轉(zhuǎn)移方法制造。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱以下參考。

我們可以在4“晶圓上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜。有關(guān)詳細(xì)信息,請(qǐng)通過info@graphenelab.com與我們聯(lián)系。

 

學(xué)術(shù)參考/閱讀更多

石墨烯生長(zhǎng)

在銅箔上大面積合成高質(zhì)量和均勻的石墨烯薄膜科學(xué)2009年6月5日:Vol。324.沒有。5932,pp.1312 - 1314

石墨烯轉(zhuǎn)移

用于高性能透明導(dǎo)電電極的大面積石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移,Li et.al.,Nano Lett。,2009,9(12),pp 4359-4363

走向清潔和無裂縫轉(zhuǎn)移石墨烯Liang et.al.,ACS Nano,2011,5(11),pp 9144-9153

石墨烯/ h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)

石墨烯,六方氮化硼(h-BN)和石墨烯/ h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電學(xué)性質(zhì)和應(yīng)用

Materials Today Physics,Science Direct:Vol 2,September 2017,pp 6-34

第2卷,2017年9月,第6-34頁作者鏈接打開覆蓋面板 

 

 
SKU1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P
重量0.10磅
 
550.00美元 

 

詳細(xì)的圖像

 

 

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