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詳細介紹
| 簡介 | 儀器由四探針測試儀和薄膜電導率測量儀兩部分組成。具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、測量范圍寬、結構緊湊、使用方便等特點。儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能的測試。 四探針測試儀由主機、測試架等部分組成?？梢詼y量片狀、塊狀半導體材料的徑向和軸向電阻率，測量擴散層的薄層電阻（亦稱方塊電阻）、功能材料暗電導和光電導及溫度的變化的特性，還可以對金屬導體的低、中值電阻進行測量。測試探頭采用寶石導向軸套和高耐磨碳化鎢探針制成，故定位準確、游移率小、壽命長。 薄膜電導率測量儀由樣品室、溫控系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、高阻測量系統(tǒng)等部分組成。 ◆ 測量范圍：電阻測量范圍：1×106～1×1017Ω； 電阻率：0.001～200Ωcm； 電導率：0.005～1000s/cm； ◆ 可測晶片直徑： 200mmX200mm； ◆ 探針：碳化鎢或高速鋼；探針間距：1±0.01mm； ◆ 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%； ◆ 本底真空度：≤10Pa，氣壓可控范圍：10～400Pa； ◆ 襯底加熱 溫度：室溫～200℃。 | ||