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![]() MicroWriter MLTM是款设计的激光直写光刻系统,不仅具有无掩模板直写系统的灵活性,还拥有高书写速度和低成本的点。15个蓝光激光头可以在电脑控制下进行平行工作对基片上无需高分辨率的部分进行高速书写曝光,之后自动切换高分辨激光,并对需要高分辨的细节进行加工。这样的设计在加工速度和分辨率之间取得了的平衡,并通过软件改变曝光图案设计完整保证了其灵活性。 ![]()
![]() ![]() MicroWriter MLTM是款设计的激光直写光刻系统,不仅具有无掩模板直写系统的灵活性,还拥有高书写速度和低成本的点。15个蓝光激光头可以在电脑控制下进行平行工作对基片上无需高分辨率的部分进行高速书写曝光,之后自动切换高分辨激光,并对需要高分辨的细节进行加工。这样的设计在加工速度和分辨率之间取得了的平衡,并通过软件改变曝光图案设计完整保证了其灵活性。 ![]() 内置自动对焦系统通过调节基片台在Z方向的位置,对基片上的红色激光斑进行自动对焦。只需单击软件上的对焦键就能完成对新放入的基片对焦。与些其他自动对焦系统对基片zui小尺寸有要求不同,MicroWriter MLTM的自动对焦可以用到小的样品上,非常适用于对单个压模的书写。 对于表面不平的基片,可以在曝光之前对其表面测绘,之后进行曝光的同时中可以自动校正对焦。 ![]() ![]() 确切的书写速度取决于曝光图案。大部分研发用图案是由大面积区域(线、带、块)和少量的细小尺寸结构组成的。MicroWriter MLTM非常适用于这类应用。在这种情况下,使用“turbo”模式,通过自动结合高速平行书写和高分辨书写,可以的得到180mm2/min的有效书写速度。对于需要进行大面积细小结构书写的基片,曝光时间会相应增长。 ![]() ![]() zui大可以放入230mm直径基片,可以保证200mm x 200mm范围内的准确曝光。zui小基片尺寸为 1mm2?;烧婵占写拥撞抗潭ǎ瑉ui大基片厚度为15mm。 ![]() 基本配置包括个1μm分辨率的激光头和15个5μm分辨率的激光头。个0.6μm分辨率的激光头可以作为选件添加(OPT-HIRES)。上为分辨率测试结构图。单臂结构在半径中点以外被区分出来,4μm内包括1μm臂宽和2μm的周期。 ![]() 具有不同曝光性质的多组曝光任务可以被结合起来。例如,用1μm激光得到条微小的微米线,再用5μm激光得到大面积连接片并使其连接到微米线上。:光学显微图(左)和扫描激光显微图(右)显示通过两个曝光任务(下图)得到的微米线连接大尺寸连接片的图形。两个图片都是通过MicroWriter MLTM内置显微镜得到。 ![]() ![]() MicroWriter MLTM内置的Clewin 4掩模板设计软件(见图11),可以用于设计多层掩模板文件,同时可以读取多种标准图形格式(DXF, CIF, GDSII, Gerber)的设计文件?;杓瓶梢宰霾浇D?,比如设计个单图案然后在整个基片范围内重复运用,或者对整个基片进行整体设计,以便减少拼接误差。与电子束刻蚀系统不同,MicroWriter MLTM不存在书写范围限制(取决于基片尺寸)。为了简化掩模板设计,MicroWriter MLTM可以直接读取.TIFF,.BMP等图片格式。 ![]() 大多数用电子束刻蚀制造的器件只有很小的部分结构需要用到电子束刻蚀的高分辨率,而大部分曝光时间都浪费在了如电连接等大面积结构的生成上。MicroWriter MLTM可以被用在混合模式刻蚀工艺上:只用费用昂贵、速度缓慢的电子束刻蚀加工zui细小的结构,用成本低廉的MicroWriter MLTM加工大面积部分。MicroWriter MLTM进的对准机制可以使两部工序*结合。因此MicroWriter MLTM也适用于已经拥有电子束刻蚀的实验环境。 ![]()
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![]() MicroWriter MLTM是款设计的激光直写光刻系统,不仅具有无掩模板直写系统的灵活性,还拥有高书写速度和低成本的点。15个蓝光激光头可以在电脑控制下进行平行工作对基片上无需高分辨率的部分进行高速书写曝光,之后自动切换高分辨激光,并对需要高分辨的细节进行加工。这样的设计在加工速度和分辨率之间取得了的平衡,并通过软件改变曝光图案设计完整保证了其灵活性。 ![]()
![]() ![]() MicroWriter MLTM是款设计的激光直写光刻系统,不仅具有无掩模板直写系统的灵活性,还拥有高书写速度和低成本的点。15个蓝光激光头可以在电脑控制下进行平行工作对基片上无需高分辨率的部分进行高速书写曝光,之后自动切换高分辨激光,并对需要高分辨的细节进行加工。这样的设计在加工速度和分辨率之间取得了的平衡,并通过软件改变曝光图案设计完整保证了其灵活性。 ![]() 内置自动对焦系统通过调节基片台在Z方向的位置,对基片上的红色激光斑进行自动对焦。只需单击软件上的对焦键就能完成对新放入的基片对焦。与些其他自动对焦系统对基片zui小尺寸有要求不同,MicroWriter MLTM的自动对焦可以用到小的样品上,非常适用于对单个压模的书写。 对于表面不平的基片,可以在曝光之前对其表面测绘,之后进行曝光的同时中可以自动校正对焦。 ![]() ![]() 确切的书写速度取决于曝光图案。大部分研发用图案是由大面积区域(线、带、块)和少量的细小尺寸结构组成的。MicroWriter MLTM非常适用于这类应用。在这种情况下,使用“turbo”模式,通过自动结合高速平行书写和高分辨书写,可以的得到180mm2/min的有效书写速度。对于需要进行大面积细小结构书写的基片,曝光时间会相应增长。 ![]() ![]() zui大可以放入230mm直径基片,可以保证200mm x 200mm范围内的准确曝光。zui小基片尺寸为 1mm2?;烧婵占写拥撞抗潭ǎ瑉ui大基片厚度为15mm。 ![]() 基本配置包括个1μm分辨率的激光头和15个5μm分辨率的激光头。个0.6μm分辨率的激光头可以作为选件添加(OPT-HIRES)。上为分辨率测试结构图。单臂结构在半径中点以外被区分出来,4μm内包括1μm臂宽和2μm的周期。 ![]() 具有不同曝光性质的多组曝光任务可以被结合起来。例如,用1μm激光得到条微小的微米线,再用5μm激光得到大面积连接片并使其连接到微米线上。:光学显微图(左)和扫描激光显微图(右)显示通过两个曝光任务(下图)得到的微米线连接大尺寸连接片的图形。两个图片都是通过MicroWriter MLTM内置显微镜得到。 ![]() ![]() MicroWriter MLTM内置的Clewin 4掩模板设计软件(见图11),可以用于设计多层掩模板文件,同时可以读取多种标准图形格式(DXF, CIF, GDSII, Gerber)的设计文件?;杓瓶梢宰霾浇D?,比如设计个单图案然后在整个基片范围内重复运用,或者对整个基片进行整体设计,以便减少拼接误差。与电子束刻蚀系统不同,MicroWriter MLTM不存在书写范围限制(取决于基片尺寸)。为了简化掩模板设计,MicroWriter MLTM可以直接读取.TIFF,.BMP等图片格式。 ![]() 大多数用电子束刻蚀制造的器件只有很小的部分结构需要用到电子束刻蚀的高分辨率,而大部分曝光时间都浪费在了如电连接等大面积结构的生成上。MicroWriter MLTM可以被用在混合模式刻蚀工艺上:只用费用昂贵、速度缓慢的电子束刻蚀加工zui细小的结构,用成本低廉的MicroWriter MLTM加工大面积部分。MicroWriter MLTM进的对准机制可以使两部工序*结合。因此MicroWriter MLTM也适用于已经拥有电子束刻蚀的实验环境。 ![]()
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