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203次單晶少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：GZ-LT-2
| GZ-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之。本儀器靈敏度較，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路硅單晶在內(nèi)的各種類(lèi)型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。 | ||||||||||||||||||||||||
| 本儀器根據(jù)際通用方法頻光電導(dǎo)衰退法的原理，由穩(wěn)壓電源、頻源、檢波放大器，制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五份組成。采用印刷電路和頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。 | ||||||||||||||||||||||||
| 術(shù) 標(biāo) ： | ||||||||||||||||||||||||
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