一、設備基本原理與特點

1.基本原理：
熱誘導化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

2.設備特點：
（1）采用臥式、側(cè)開門結(jié)構(gòu)，裝、卸料精度高，操作方便；
（2）采用先進的控制技術(shù)，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動范圍??；
（3）溫度均勻性好，平均溫度均勻性為±5℃；
（4）采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
（5）全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
（6）安全性能好，采用HMI+PLC+PID程序控制，安全可靠；
（7）對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理；
（8）多級高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物，易清理；
（9）采用設計防腐蝕真空機組，持續(xù)工作時間長，維修率極低。

二、C2GR16-立式氣相沉積爐(主要技術(shù)參數(shù)：