晶體拉制

在晶體拉制過(guò)程中，英?？档碾娙菡婵沼?jì)系列可以控制拉制腔內(nèi)的工藝壓力，從而生長(zhǎng)出無(wú)瑕的硅晶體。這種精準(zhǔn)的壓力控制對(duì)于實(shí)現(xiàn)*佳晶體生長(zhǎng)至關(guān)重要，并有助于提高半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和純度。

真空元件可確保無(wú)泄漏連接，有助于提高光刻工藝的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

此外，采用了光學(xué)氣體分析裝置的 Augent® OPG550 能夠監(jiān)測(cè)蝕刻過(guò)程中使用的氣體成分，進(jìn)一步確保工藝穩(wěn)定性和精準(zhǔn)的材料去除。

電容真空計(jì)系列可監(jiān)控過(guò)程壓力，而熱離子計(jì)、冷陰極和真空配件則有助于進(jìn)行穩(wěn)定的系統(tǒng)壓力控制，提高過(guò)程均勻性和設(shè)備性能。我們的光學(xué)氣體分析儀 Augent® OPG550 能夠監(jiān)控材料沉積過(guò)程中的氣體成分，確保*佳條件。