数字式硅晶体少子寿命测试仪   型号：ZD-LT-100C
为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。                                                       
数字式硅晶体少子寿命测试仪        该设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次全国十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。
数字式  
DZ-LT-100C数字式有以下特点：
1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2、  可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。
3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。
4、配置两种波长的红外光源：
a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
5、测量范围宽广
测试仪可直接测量：
a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围     0.25μS—10ms

产品名称：电流型紫外线强度变送器 紫外线强度监测仪 水中紫外线强度仪 产品型号：UVA4-20mA

电流型紫外线强度变送器 紫外线强度监测仪 水中紫外线强度仪 型号：UVA4-20mA

主要功能
　　♦　功能：提供当前紫外线杀菌灯管的对强度值。
　　技术参数
　　♦　量　　程：5000μW/cm2（可根据客户要求定制）；
　　♦　光谱范围：210～380nm；
　　♦　固定方式：M26×2 (可根据客户要求定制)；
　　♦　设计压力：10kgf/cm2 ；
　　♦　外　　壳：不锈钢；
　　♦　工作电源：DC7.5～35V；
　　♦　输出信号：4～20mA；
　　♦　连接电缆：1.5米两芯屏蔽线（两线制电流环）。
　　应用领域
　　♦　紫外线水处理器（包括清水、中水和污水消毒）；
　　♦　紫外线空气杀菌器；
　　♦　UV固化。
　　现场调试
　　♦　稳定运行　在现场安装好紫外线消毒器和紫外线强度变送器探头，并接通进、出水路，接通灯管电源，待灯管工作稳定后（15～20分钟）再行调节。
　　♦　接入调节　直接接入PLC或单片机系统的A/D转换模块进行调试即可。 

产品名称： 漏电开关检测仪 漏电开关测试仪 漏电保护器检测仪  产品型号：5406

 漏电开关检测仪  漏电开关测试仪  漏电?；て骷觳庖?nbsp;型号: 5406  
产品特点  
漏电开关测试仪主要用于测试漏电?；て鞯穆┑缍鞯缌?漏电不动作电流以及漏电动作时间，适用于检测漏开关/电源插头线的导通性,缘,线芯高压性能。 　　漏电开关测试仪可广泛应用于供电部门，农电部门，漏电?；て魃Ъ?，建筑、矿山、机床等行业的劳动安检部门以及广大电工。  
           
技术参数   
 漏电档位10/20/30/200/300/500mA  
 故障动作时间zui大1000ms  
 精度动作电流：±8%  
动作时间：0.6±4dgt  
 过压?；び?nbsp; 
 PN/PE判别有  
 回路检测有  
 相位选择有  
 工作电压220V±15%  
380V±15%  
 自动测量有  
 启动电压选择有  
 测量方式在线  
 工作环境0~60℃  
 包装规格   
 电源不需要电池  
 产品净重575g   
 产品尺寸163*155*80mm   
 包装方式背包包装  
 标准外箱容量6PCS   
 标准外箱尺寸60*36*37.5cm   
 标准外箱毛重12.5KG