一、核心功能与工艺定位
湿法去胶机是半导体制造前道工艺（如光刻、刻蚀）与后道封装环节的重要设备，主要用于去除晶圆表面的光刻胶（Photoresist）。其通过化学溶剂溶解、超声振动或喷淋冲洗等物理化学结合的方式，高效清除残留胶体及衍生物，确保晶圆表面洁净度满足后续制程要求。在制程中，去胶效果直接影响图形转移精度、层间附着力及电学性能，是保障芯片良率的关键步骤。

二、技术原理与分类

化学溶剂体系

有机溶剂：常用N-甲基吡咯烷酮（NMP）、丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或臭氧水（环保型），通过溶解光刻胶的聚合物链实现去除。

添加剂调控：加入表面活性剂增强润湿性，或通过pH调节控制腐蚀速率（如针对含金属的光刻胶）。

去胶方式

浸泡式：晶圆浸入溶剂槽，适用于小尺寸或低产能需求，但易受污染。

喷淋式：高压喷淋实现均匀覆盖，适合大尺寸晶圆（如12英寸），配合旋转晶舟提升边缘清洗效果。

超声波辅助：兆声波（1-3MHz）空化效应增强胶体剥离，用于顽固胶渣或高深宽比结构。

三、关键性能指标

四、应用场景与工艺挑战

前段光刻工艺：需去除正性或负性光刻胶，避免残留导致图形畸变或刻蚀不均。

后端封装环节：去除切割后芯片表面的保护胶，防止封装界面分层。

制程难点：

高深宽比结构：如FinFET器件的狭窄沟槽，需兆声波+化学腐蚀协同处理。

低k介质兼容性：去胶液需避免损伤多孔低介电材料（如SiOC）。

环保压力：传统NMP溶剂毒性高，推动水性或生物降解溶剂研发。