产地类别 | 进口 |
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公司主要专营:西门康SEMIKRON整个系列、德国IXYS可控硅、德国英飞凌整系列???、日本三社??椤⑷鹗緼BB平板晶闸管、英国WESTCODE晶闸管、SIEMENS西门子熔断器、美国BUSSMANN熔断器、英国DYNEX平板可控硅、FUJ功率模块、美国IR二极管模块
三社、IXYS艾赛斯、西门康、富士、三菱、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、英达、三肯、三洋、英飞凌、欧派克、APT、ST ABB、西码、CDE等IGBT、可控硅、晶闸管、GTR、IPM、PIM、快恢复二极管、整流桥、电解电容、驱动电路、MOSFET等 。
富士IGBT模块2DI50D-050A是一款双单元IGBT功率???,属于富士电机经典的2MBI系列产品。该??椴捎霉ひ导侗曜挤庾埃闪肆礁龆懒⒌腎GBT单元及反并联快恢复二极管,形成完整的半桥电路结构。
在电气参数方面,2MBI50N-060具有600V的集电极-发射极额定电压和50A的额定工作电流,其VCE(sat)典型值为1.8V,具备优异的导通特性。??椴捎肗PT(非穿通型)IGBT芯片技术,实现了开关损耗与导通损耗的良好平衡,开关频率可达20kHz,特别适合脉宽调制(PWM)应用场景。
该产品配置了低电感端子设计,有效抑制了开关过程中的电压尖峰。内部集成温度传感NTC电阻,便于系统实现过热保护功能。标准绝缘基板设计确保??橛肷⑷绕骷涞?500Vrms电气隔离能力。
一、核心技术参数
额定电压/电流:600V/50A
采用第三代NPT(非穿通型)IGBT芯片技术
集成两个独立IGBT单元及反并联快恢复二极管
典型导通压降VCE(sat)仅1.8V
开关频率可达20kHz
工作结温范围:-40℃至+150℃
二、结构设计特点
??椴捎眯幸当曜嫉乃ピ肭沤峁股杓?,封装尺寸为62mm×42mm×17mm(长×宽×高)。内部采用低电感端子布局,有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰。铝氮化铝(AlN)陶瓷基板提供优异的绝缘性能(2500Vrms)和热传导效率。??榈撞吭ね康既裙柚?,便于安装散热器。
三、?;び爰嗖夤δ?br/>内置负温度系数(NTC)热敏电阻,可实时监测模块温度。通过外接电路可实现过温?;すδ?。优化的栅极驱动设计确??毓痰奈榷ㄐ院涂煽啃?,避免误触发和直通现象。
四、典型应用领域
工业变频器:适用于7.5-15kW电机驱动
伺服控制系统:提供精确的PWM控制
不间断电源(UPS):实现高效AC/DC转换
新能源领域:光伏逆变器、风电变流器
工业焊接设备:满足高频开关需求
富士IGBT???strong>2DI50D-050A
1MBI400S-120
1MBI400N-120
1MBI300S-120
1MBI300N-120
1MBI600S-120
1MBI600N-120
1MBI400NA-120-02
1MBI300NA-120-02
1MBI200S-120B
1MBI200SA-120B-02
1MBI400NN-120
1MBI600LP-060-02
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1MBI400NP-120-01
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1MBI900VF-170-50
1MBI400VF-120-50
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1MBI900VF-120-50
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FP10R12W2T4-B3
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