托托科技 多功能显微系统 磁光克尔显微镜 应用在磁性薄膜材料显微磁畴测量

(a)为样品 CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁场附近出现迷宫畴以及孤立斯格明子磁泡结构(Skyrmions Bubble)，图中单个稳定的Skyrmions Bubble 的尺寸为1 μm。为研究基于 SK-RM赛道存储器提供光学无损伤探测支持。

(b)为样品 Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。

(c)290K下，样品CuCr2Te/Cr2Te3，磁场驱动磁畴翻转。上图显示的是 180 Oe磁场下的磁畴态，下图显示的是 -180 Oe 磁场下的磁畴态。

托托科技 多功能显微系统 磁光克尔显微镜 应用在梯度自旋流累积

(a)Pt(up to 3.2 nm)/Co(0.6 nm)/Pt(1.5 nm)楔形样品构建梯度自旋流积累，实现无场翻转；

(b)和(d)，表示不同电流密度下，磁畴成核过程。(I=10 mA，H_x= 0 Oe)/( I=22 mA，H_x= 0 Oe) Hall Bar磁畴成核过程。测试电流小时，薄膜样品磁畴在十字中心位置成核（紫色圆圈）；当测试电流逐渐变大，磁畴在十字臂一侧成核（紫色方形）；

(c)和(e)，表示不同电流密度下,磁滞回线。(I=10 mA，H_x= 0 Oe)/( I=22 mA，H_x= 0 Oe)下的磁滞回线。大电流密度有助于磁场驱动磁畴翻转；