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FR-Mic:全自動帶顯微鏡多點測量膜厚儀

具體成交價以合同協(xié)議為準

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岱美儀器技術(shù)服務(上海)有限公司(Dymek Company Ltd ,下面簡稱岱美)成立于1989年,是一間擁有多年經(jīng)驗的高科技設(shè)備分銷商,主要為數(shù)據(jù)存儲、半導體、光通訊、高校及研發(fā)中心提供各類測量設(shè)備、工序設(shè)備以及相應的技術(shù)支持,并與一些重要的客戶建立了長期合作的關(guān)系。自1989年創(chuàng)立至今,岱美的產(chǎn)品以及各類服務、解決方案廣泛地運用于中國香港,中國大陸(上海、東莞、北京),中國臺灣,泰國,菲律賓,馬來西亞,越南及新加坡等地區(qū)。


岱美在中國大陸地區(qū)主要銷售或提供技術(shù)支持的產(chǎn)品:

晶圓鍵合機、納米壓印設(shè)備、紫外光刻機、涂膠顯影機、硅片清洗機、超薄晶圓處理設(shè)備、光學三維輪廓儀、硅穿孔TSV量測、非接觸式光學三坐標測量儀、薄膜厚度檢測儀、主動及被動式防震臺系統(tǒng)、應力檢測儀、電容式位移傳感器、定心儀等。


岱美重要合作伙伴包括有:

Thetametrisis, EVG, FSM, Opto-Alignment, Herz, PLSINTEC, Film Sense, Reditech, Lazin, Delcom, Microsense, Shb, boffotto, RTEC, Kosaka, Nanotronics, MTInc, 4D, Daeil, Microphysics,

n&k Technology, First Nano, Schmitt, LESCO, Otsuka, STI, Kurashiki, Ryokosha, SURAGUS, Westbond...


如有需要,請聯(lián)系我們,了解我們?nèi)绾伍_始與您之間的合作,實現(xiàn)您的企業(yè)或者組織機構(gòu)長期發(fā)展的目標。




膜厚儀,輪廓儀,EVG鍵合機,EVG光刻機,HERZ隔震臺,Microsense電容式位移傳感器

產(chǎn)地類別 進口 價格區(qū)間 面議
應用領(lǐng)域 電子/電池,綜合

硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準確測量薄膜表征應用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺計算機控 制的XY工作臺,使其快 速、方便和準確地描繪樣品的厚度和光學特性圖。品牌屬于Thetametrisis。

Thetametrisis利用 FR-Mic,通過紫外/ 可見/ 近紅外可輕易對局部區(qū)域薄膜厚度,厚度映射,光學常數(shù),反射率,折射率及消光系數(shù)進行測量。

【相關(guān)應用】

1.高校 & 研究所實驗室

2.半導體制造

3.(氧化物/氮化物, 硅膜, 光刻膠及其他半導體薄膜.)

4.MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)

5.LEDs, VCSELs

6.數(shù)據(jù)存儲

7.陽極處理

8.曲面基底的硬鍍及軟鍍

9.聚合物膜層, 粘合劑

10.生物醫(yī)學(聚對二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)

11.還有許多…

Thetametrisis膜厚儀特點】

1、實時光譜測量

2、薄膜厚度,光學特性,非均勻性測量, 厚度映射

3、使用集成的,USB連接高品質(zhì)彩色攝像機進行成像



Thetametrisis膜厚儀產(chǎn)品優(yōu)勢】

1、單擊即可分析 (無需初始預測)

2、動態(tài)測量

3、包含光學參數(shù) (n & k, color)

4、可保存測量演示視頻錄像

5、超過 600 種不同材料o 多個離線分析配套裝置o 免費操作軟件升級

【技術(shù)參數(shù)】

*測量面積(收集反射或透射信號的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關(guān)

型號

UV/VIS

UV/NIR-EXT

UV/NIR-HR

DUV/NIR

VIS/NIR

DVIS/NIR

NIR

光譜波長范圍(nm)

200–850

200–1020

200-1100

200–1700

370–1020

370–1700

900–1700

光譜儀像素

3648

3648

3648

3648&512

3648

3648&512

512




膜厚測量范圍

5X-VIS/NIR

15nm–60μm

15nm–70μm

15nm–90μm

15nm–150μm

15nm–90μm

15nm–150μm

100nm–150μm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm–50μm

4nm–60μm

4nm–80μm

4nm–130μm

15nm–80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X-UV/NIR*

4nm–40μm

4nm–50μm

4nm–50μm

4nm–120μm

20X-VIS/NIR

20X-UV/NIR*

4nm–25μm

4nm–30μm

4nm–30μm

4nm–50μm

15nm–30μm

15nm–50μm

100nm–50μm

40X-UV/NIR*

4nm–4μm

4nm–4μm

4nm–5μm

4nm–6μm

50X-VIS/NIR

15nm–5μm

15nm–5μm

100nm–5μm

測量n&k蕞小厚度

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

光源

氘燈&鹵素燈(internal)

鹵素燈(internal)

材料數(shù)據(jù)庫

>600不同材料







。

。

。


物鏡

光斑尺寸(μm)


500μm孔徑

250μm孔徑

100μm孔徑

5x

100μm

50μm

20μm

10x

50μm

25μm

10μm

20x

25μm

17μm

5μm

50x

10μm

5μm

2μm














【工作原理】


*規(guī)格如有更改,恕不另行通知, 測量結(jié)果與校準的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續(xù) 15 天測量的標準方差平均值。樣品:1um SiO2 on Si., 100 次厚度測量的標準方差,樣品:1um SiO2 on Si.

*超過 15 天的標準偏差日平均值樣品:1um SiO2 on Si。

以上資料來自Thetametrisis,如果有需要更加詳細的信息,請聯(lián)系我們獲取。









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