原子层沉积设备

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北京瑞科中仪科技有限公司专注半导体材料研究分析设备的研发和应用。专业的团队，专精的服务，提供理想的解决方案。

我们长期专注于半导体材料研究与分析设备的经销和代理，为高校、企业科研工作者提供专业的分析解决方案。以专业技能为导向，用科技来解决用户在科研中遇到的难题。专业的技术工程师和科研工作者进行现场演示和技术交流，打消顾虑，彼此协作，为我国的科研领域谱写新篇章。

北京瑞科中仪科技有限公司长期代理销售供应多种分子材料的研究分析设备，其中包括但不限于扫描电子显微镜、感应耦合等离子体化学气相沉积系统、离子束刻蚀机、等离子清洗机、物理气相沉积系统以及各品牌的光学显微镜以及实验室设备仪器。

客户至上的服务理念，以人为本的企业文化，我们始终为用户提供专业的服务！

合作丨共赢，选择我们，选择未来！

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半导体材料分析,材料刻蚀

应用领域	环保,化工,电子/电池

原子层沉积设备（ALD）为一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統為150~350oC)。

SYSKEY的系統可以精準的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。

厚度均匀度（WIW）：

原子層沉積設備單個12英寸晶圓用於沉積目標厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進行27點厚度測量並輸入標準偏差公式。在±0.5nm範圍內和均勻度的5％以內。

介電常數和功函數：

準備三個矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學氧化物/ HfO2/ TiN。測量三個樣品的CV圖以計算介電常數和洩漏電流：介電常數應為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。

原子层沉积设备應用領域	腔體
高k值之氧化物。 OLED和矽太陽能電池的鈍化層。微機電系統。納米電子學。納米孔結構薄膜。光學薄膜。薄膜封裝技術。	鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達300mm晶圓。優異的薄膜均勻度小於±1％。較高的深寬比和複雜結構具有相同特性之薄膜沉積。薄膜具有高緻密性。前驅物材料可多達6種並可分別加熱到200°C。快速脈衝的氣體輸送閥，反應時間為10毫秒。通過穩定的溫度控制，將基板載台加熱到400°C。材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。橢圓偏振光譜儀。高真空傳送系統。