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LFZ-2KW 新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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  • 我們是誰

    美國Quantum Design公司是科學(xué)儀器制造商,其研發(fā)生產(chǎn)的系列磁學(xué)測量系統(tǒng)及綜合物性測量系統(tǒng)已成為業(yè)內(nèi)進(jìn)的測量平臺,廣泛分布于全球材料、物理、化學(xué)、納米等研究域的科研實驗室。Quantum量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司(暨Quantum Design中國子公司) 成立于2004年,是美國Quantum Design公司設(shè)立的諸多子公司之,在全權(quán)負(fù)責(zé)美國Quantum Design公司本部產(chǎn)品在中國的銷售及售后技術(shù)支持的同時,還致力于和范圍內(nèi)物理、化學(xué)、生物域的科學(xué)儀器制造商進(jìn)行密切合作,幫助中國市場引進(jìn)更多全球范圍內(nèi)的質(zhì)設(shè)備和技術(shù),助力中國科學(xué)家的項目研究和發(fā)展。

  • 我們的理念

    Quantum Design中國的長期目標(biāo)是成為中國與進(jìn)行進(jìn)技術(shù)、進(jìn)儀器交流的重要橋頭堡。助力中國科技發(fā)展的十幾年中,Quantum Design中國時刻保持著積進(jìn)取、不忘初心、精益求精的態(tài)度,為中國科學(xué)家提供更質(zhì)的科學(xué)和技術(shù)支持。隨著中國科學(xué)在舞臺變得愈加舉足輕重,Quantum Design中國將繼續(xù)秉承“For Scientist, By Scientist”的理念,助力中國科技蓬勃發(fā)展,助力中國科技在騰飛!

  • 我們的團(tuán)隊

    Quantum Design中國擁有支具備強大技術(shù)背景、職業(yè)化工作作風(fēng)的團(tuán)隊,并致力于培養(yǎng)并引進(jìn)更多博士業(yè)技術(shù)人才。目前公司業(yè)務(wù)團(tuán)隊高學(xué)歷業(yè)碩博人才已占比超過70%以上,高水平人才的不斷加入和日益密切的團(tuán)隊配合幫助QD中國實現(xiàn)連續(xù)幾年銷售業(yè)績的持續(xù)增長

  • 我們的服務(wù)

     

  • Quantum Design中國擁有完善的本地化售前、售中和售后服務(wù)體系。國內(nèi)本地設(shè)有價值超過50萬美元的備件庫,用于加速售后服務(wù)響應(yīng)速度;同時設(shè)有超過300萬美元的樣機實驗室,支持客戶對設(shè)備進(jìn)行進(jìn)步體驗和深度了解。 “不僅提供超的產(chǎn)品,還提供超的售后服務(wù)”這將是Quantum Design中國區(qū)別于其他科研儀器供應(yīng)商的重要征,也正成為越來越多科學(xué)工作者選擇Quantum Design中國的重要原因。

 

 

 

PPMS,MPMS,低溫磁學(xué),表面成像,樣品制備,生命科學(xué)儀器

新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

      Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進(jìn)設(shè)計理念,新代高性能激光浮區(qū)爐(型號:LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長技術(shù)推向個全新的高度!


應(yīng)用域

      可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。

激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)勢:


采用全新五束激光設(shè)計,確保熔區(qū)能量分布更加均勻

更加科學(xué)的激光光斑化方案,有助于降低晶體生長過程中的熱應(yīng)力

采用了*的實時溫度集成控制系統(tǒng)


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

RIKEN(CEMS)設(shè)計的五束激光發(fā)生器原型機實物


新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù):


加熱控制加熱類型5束激光
激光功率 2KW、1.5KW兩種規(guī)格可選
熔區(qū)溫度2600℃ ~ 3000℃*
晶體生長控制      晶體生長大設(shè)計長度150mm*
晶體生長大設(shè)計直徑8mm*
晶體生長大速度/轉(zhuǎn)速  300mm/hr; 100rpm
樣品腔可施加大壓力10bar
樣品腔氣氛多種氣路(O2/Ar/混合氣等)可供選配
晶體生長監(jiān)控高清攝像頭
晶體生長控制PC控制


*具體取決于材料及實驗條件


應(yīng)用案例


采用新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長出的部分單晶體應(yīng)用案例:

新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Ruby


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Dy2Ti2O7


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

BaTiO3



新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Sr2RuO4


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

SmB6


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Ba2Co2Fe12O22


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Y3Fe5O12


* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供


用戶單位

東京大學(xué)

日本國立材料研究所





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