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VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪

具体成交价以合同协议为准

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  沈阳科晶立足国内市场实际情况,以提供Z为实用的产品为己任。产品的质量、精度在向国外企业看齐的基础上,产品的价格定位却仅仅是其几分之一。性价比不仅吸引了众多国内客户,而且令挑剔的外国客商也称赞不已,产品远销于印度、马来西亚、土耳其、波兰、突尼斯、澳大利亚等国家,并大量出口于美国。

  沈阳科晶为了更好地服务客户,专门设立了开放式专业实验室,配备了优秀的专业技术人员。在这里,不仅可以提供亲身的产品体验环境,而且还可得到专业人员的操作指导??枰岳?,制作的样品达上千件,接待来访客参观户百余次,其中包括多次外国友人的来访。在此,沈阳科晶全体员工诚挚地欢迎您的到来,并希望您能提出宝贵的意见与建议。

  沈阳科晶一路走过的历程,是为我国材料研究事业全力贡献的历程,是以实际行动将自己打造成国内材料分析设备品牌的历程,是与国外同行不断缩小差距的历程,是与广大客户相扶相持的成长历程。虽一路充满坎坷与荆棘,但坚持不懈的沈阳科晶人仍全力以赴的前行。秉承这份坚持,相信在不久的将来,沈阳科晶也将会成为市场上专业的、杰出的材料分析设备品牌,沈阳科晶的明天会更加灿烂辉煌。


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欢迎来到沈阳科晶,我们是国内实验室样品制备设备领域的专家!










切割机,金刚石线切割机,研磨抛光机,提拉涂膜机,旋转涂膜机,真空镀膜机,管式炉,箱式炉,电池实验研究设备,清洗机

产地类别 国产 价格区间 面议
应用领域 地矿
产品简介VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪

VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备,可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪和两个电源,一个射频电源用于非导电材料的溅射镀膜,一个直流电源用于导电材料的溅射镀膜,可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比,且具有体积小便于操作的优点,且可使用的材料范围广,是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。

主要特点VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪
  • 配置两个靶枪,一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜,一个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。

  • 可制备多种薄膜,应用广泛。

  • 体积小,操作简便。

技术参数VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪

产品名称

VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪

产品型号

VTC-600-2HD

安装条件

1、工作台需要:尺寸 L1300mm×W750mm×H700mm,承重 200kg 以上。

2、水:需求:随机标配 KJ-5000 自循环冷水机(加注纯净水或者去离子水)。

3、气:需氩气(纯度≥99.99%),自备氩气瓶(自带?6mm 双卡套接头)及减压阀。

4、通风装置:使用现场需通风(必要时可自行加装换气装置)。

5、供电源:单相:AC220V 50Hz 国标 10A 插座,必须有良好接地,前端需加装 16A 空气开关。

6、现场环境:要求:温度 25℃±15℃,湿度 55%Rh±10%Rh 以下,干燥无尘,无易燃易爆气体。

主要参数

真空室尺寸

φ295×高265mm

备注说明

真空泵组

分子泵:Hipace80 涡轮泵

前级泵:MVP015-2DC 隔膜泵

浦发(Pfeiffer)

本底真空度

5.0E-3Pa(5.0E-5hPa)

沉积前基础真空要求

极限真空度

5.0E-4Pa(5.0E-6hPa)

受现场环境等因素影响

工作压力

0.1~5Pa(0.001~0.05hPa)

氩气为主,反应气体比例添加

抽速

前级泵:1m3/h

分子泵:67l/s

影响抽真空时间

溅射电源

类型/数量

DC(直流):1台

RF(射频):1台

DC:金属靶 RF:绝缘靶

(搭配电源类型可选配)

输出功率

范围

DC:0~500W

RF:0~300W

功率输出模式

MAX输出功率

匹配阻抗

50Ω

确保功率传输效率

工作气体

标配:氩气(Ar)

建议使用:Ar 纯度 99.999%

氩气流量

(2路输入)

1路:1~100sccm

1路:1~200sccm

注:如需要通入其它类型保

护气体可定制

流量计精度

±1%F.S.

/

样品台尺寸

Φ132mm

≈5.2英寸

样品台转速

1~20rpm

提升膜厚均匀性

加热温度

RT~500℃

样品台表面温度值

控温精度

±1℃

/

磁控靶数量

2个

可独立、可同时使用

靶材尺寸

φ2寸 厚度0.1-5mm

靶材材质不同厚度有所不同

靶基距

85~115mm可调

当距离↑增大、→厚膜均匀

性↑增高,沉积速率↓下降。

冷却方式

水冷

冷却水循环靶头降温

厚膜均匀性

±5%(φ100mm基片)

靶基距和转速优化关键

极限膜厚

10nm~10um

过厚易应力开裂

输入功率

MAX:主机 500W/射频电源 1100W/直流电源 750W

注:主机、射频电源、直流电

源及膜厚仪均为独立供电!

输入电源

单相:AC220V 50/60Hz

主机尺寸

600mm×750mm×900mm

注:开盖高度为1050mm

整机尺寸

1300m×750mm×900mm

注:开盖高度为1050mm

整机重量

160kg

注:不含水冷机组

标准配件VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪
序号名称数量图片链接
1直流电源控制系统1套-
2射频电源控制系统1套-
3膜厚监测仪系统1套-
4分子泵(德国进口或者国产更大抽速)1台-
5冷水机1台-
6聚酯PU管(?6mm)4m-
可选配件VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪
序号名称功能类别图片链接
1金、铟、银、铂等各种靶材(可?。?/td>VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪-
2可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜(可?。?/td>-
3双层旋转镀膜夹具(可?。?/td>VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪




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