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非接触霍尔迁移率

2025-05-24

产      地:
暂无
所在地区:
江苏苏州市
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在霍尔效应传感器中,自由电子的移动能力通过迁移率来量化,这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间

?霍尔迁移(Hall mobility)是指霍尔系RH与电导σ的乘积,即│RH│σ,具有迁移率的量纲,因此特别称为霍尔迁移率,表示为μH =│RH│σ?。?12

定义和计算方法

霍尔迁移率是霍尔系数RH与电导率σ的乘积。在简单情况下,霍尔迁移率μH等于载流子的电导迁移率μ,但在考虑速度分布的情况下,两者可能不相等。只有在不考虑速度分布的情况下,霍尔迁移率才等于电导迁移率。

应用领域

霍尔迁移率在电子材料中是一个重要指标,特别是在GaN基HEMT结构材料中。高电子迁移率可以提升器件的工作速度和效率,减少膝点电压,从而使器件在较高频率下工作,具有更高的效率。

霍尔效应传感器中,自由电子的移动能力通过迁移率来量化,这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间



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