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半導體等離子去膠機是利用等離子體技術(shù)去除半導體制造過程中光刻膠的專用設(shè)備。其核心原理是通過等離子體中的高能粒子與光刻膠發(fā)生物理或化學作用，實現(xiàn)高效、精準的膠層去除。
一、半導體等離子去膠機產(chǎn)品原理：
1.等離子體生成機制
氣體輝光放電：
在真空腔體內(nèi)通入工藝氣體，通過高頻電場（RF射頻或微波）激發(fā)氣體電離，形成等離子體。
等離子體組成：包含高能電子、離子、自由基、紫外光子和中性分子。
2.去膠機理
物理作用：
高能粒子（如離子）轟擊光刻膠表面，通過物理濺射破壞膠分子結(jié)構(gòu)，適用于厚膠層或硬質(zhì)光刻膠。
化學作用：
自由基或活性離子與光刻膠發(fā)生化學反應，分解膠分子為揮發(fā)性物質(zhì)，適用于高精度圖形或復雜材料。
3.選擇性去除
通過調(diào)節(jié)氣體種類、功率、處理時間及腔體壓力，實現(xiàn)對不同光刻膠（正膠/負膠）或底層材料（如硅、金屬）的選擇性去除，避免損傷襯底。
二、半導體等離子去膠機產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：
1.核心組件
真空腔體：
不銹鋼或鋁合金材質(zhì)，用于維持反應環(huán)境；
配備觀察窗（石英或耐蝕玻璃）以便實時監(jiān)控。
氣體分配系統(tǒng)：
質(zhì)量流量控制器（MFC）：精確調(diào)節(jié)工藝氣體流量；
進氣口與排氣口：確保氣體均勻分布并快速排出反應產(chǎn)物。
射頻（RF）電源：
提供高頻電場，激發(fā)氣體產(chǎn)生等離子體；
功率可調(diào)，控制等離子體密度和能量。
電極結(jié)構(gòu)：
電容耦合式（CCP）：上下電極板間形成電場，適合大面積均勻處理；
感應耦合式（ICP）：螺旋線圈產(chǎn)生高密度等離子體，用于復雜圖形或深孔結(jié)構(gòu)。
樣品臺：
靜電吸附或機械固定晶圓；
可旋轉(zhuǎn)或傾斜，確保等離子體均勻覆蓋。
2.輔助系統(tǒng)
真空系統(tǒng)：
機械泵+分子泵組，實現(xiàn)腔體真空度≤10Pa；
壓力傳感器實時監(jiān)控并反饋控制。
冷卻系統(tǒng)：
水冷電極和腔體，防止高溫損傷設(shè)備或樣品；
部分機型配備樣品冷卻臺，避免過熱導致襯底損傷。
控制系統(tǒng)：
觸摸屏或PC端界面，設(shè)置參數(shù)（氣體流量、功率、時間、壓力）；
數(shù)據(jù)記錄與追溯功能，支持Recipe配方存儲。
3.安全與環(huán)保設(shè)計
防護措施：
緊急停機按鈕、過載保護、氣體泄漏報警；
腔體啟閉聯(lián)鎖，防止誤操作。
廢氣處理：
集成噴淋塔或活性炭過濾裝置，處理反應產(chǎn)生的腐蝕性氣體。
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