主要功能与优势
高密度等离子体
SENTECH SI 500 D ICPECVD系统具有的等离子体性能，如介电膜的高密度、低离子能量和低压等离子体沉积，以及钝化层的低损伤、低温沉积。
低应力 ICPECVD
SiN低应力ICPECVDx如GaN HEMT钝化和SiOx用于沟槽填充，具有出色的均匀性和可重复性，适用于射频和功率器件、光子学等应用中的系统。
SENTECH专有的等离子体源技术
SENTECH 平面三重螺旋天线 （PTSA） 源是我们 ICP 工艺系统的功能。PTSA 源产生具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体，适用于高质量和低损伤的 SiO ICPECVD 沉积2四3N4、a-Si、SiC、DLC 和掺杂层。
沉积层的出色性能
低蚀刻速率、高击穿电压、低应力、无基板损伤以及极低的界面态密度，沉积温度低于 100 °C，使沉积膜具有出色的性能。
动态温度控制
等离子体沉积过程中的衬底温度设置和稳定性是高质量蚀刻的苛刻标准。具有动态温度控制功能的衬底电极与氦 （He） 背面冷却和衬底背面温度传感相结合，可提供高质量的层，即使在低温下也能沉积。
SENTECH SI 500 D ICPECVD 系统代表了电感耦合等离子体 （ICP） 处理在研究和工业中等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、非晶硅、SiC 和其他材料的
优势。该系统包括 ICP 等离子体源 PTSA、一个动态温控基板电极和一个受控的真空系统。从100 mm晶圆到直径200 mm的各种基板，以及载体上的基板，都可以通过SENTECH SI 500 D内置的灵活负载锁来处理。单晶圆真空负载锁定和机械夹紧保证了稳定的条件，并允许直接切换工艺。
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