• 3 種細(xì)胞拉伸模型可提供可變應(yīng)變率和應(yīng)變分布（徑向、線性、定制）

• 拉伸運(yùn)動(dòng)期間活細(xì)胞的光學(xué)成像

• 高幀率和分辨率

• 可定制

• 可進(jìn)行熒光成像

• 可以添加電生理模塊以完成 MEASSURE 系統(tǒng)

隨著微/納器件小型化的不斷發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基電子器件遇到了瓶頸,正面臨著越來越多的困難和挑戰(zhàn)。二維層狀材料的出現(xiàn)為設(shè)計(jì)高效和穩(wěn)定的納米電子/光電器件提供了機(jī)遇和挑戰(zhàn),也為延續(xù)摩爾定律帶來了希望。其中,二維過渡金屬硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)的帶隙在1～2.5 e V之間、具有強(qiáng)的光與物質(zhì)相互作用以及高的機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)異性質(zhì)使其成為納米電子/光電器件的理想候選材料。另外,力電耦合效應(yīng)可以有效地調(diào)制TMDs體系的電子特性,也為優(yōu)化器件性能以及設(shè)計(jì)新型納米電子/光電器件提供了有效的途徑。材料的電子/光電性能與體系的能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)。二維TMDs的能帶結(jié)構(gòu)可以通過摻雜、壓強(qiáng)和幾何效應(yīng)有效的調(diào)控。實(shí)驗(yàn)表明壓電和撓曲電效應(yīng)對(duì)體系的能帶結(jié)構(gòu)和電輸運(yùn)特性有顯著的影響。雖然關(guān)于外界微擾和幾何效應(yīng)調(diào)制TMDs電子結(jié)構(gòu)、壓電、撓曲電和光電性質(zhì)的研究已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)和理論上取得了一些進(jìn)展,但仍存在一些基本科