可拉伸微電極陣列阻抗譜

可拉伸微電極陣列阻抗譜

美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng) 機械力刺激 電刺激記錄 高分辨率成像三合一 美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型 3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程。 大腦類器官使用人體細(xì)胞來復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。 牽張、多電極陣列刺激記錄電生理采集分析、高分辨率成像三位一體系統(tǒng) 該細(xì)胞組織可拉伸微電極陣列刺激與成像記錄系統(tǒng)是研究人員以機械方式拉伸細(xì)胞/組織，對其進(jìn)行光學(xué)成像以及單獨/同時記錄/刺激電生理活動的完整解決方案。 技術(shù)特點概述： 2×60通道 ★雙軸，單軸 ★自定義應(yīng)變場 ★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸 ★高達(dá)50％的應(yīng)變 ★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s ★任何拉伸圖案 ★高重復(fù)性 -細(xì)胞牽張刺激前后或刺激期間，多電極刺激、阻抗定量測量以及記錄電生理活動數(shù)據(jù)采集記錄

可拉伸微電極陣列 (sMEA)：32

是研究人員以機械方式拉伸細(xì)胞/組織，對其進(jìn)行光學(xué)成像以及單獨/同時記錄/刺激電生理活動的完整解決方案。

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• 在低頻情況下，電纜作為一根導(dǎo)體，電阻可以用初高中物理書上電阻的計算公式求得，其值很小，所以在電路模型中我們認(rèn)為導(dǎo)體沒有電阻，或電阻極小忽略不計。

  
  

  而在高頻（微波頻段為例）情況下，電纜中的分布電容電感因為頻率變大的原因變的不能忽略不計，這個時候電纜的阻抗便不再是一個可忽略的因素，從而電纜具有阻抗的概念。我們常把導(dǎo)引電磁波的線材稱為傳輸線。

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• 細(xì)胞、組織拉伸功能：

• ★雙軸，單軸
  ★自定義應(yīng)變場
  ★一種快速沖動拉伸或周期性拉伸
  ★高達(dá)50％的應(yīng)變
  ★應(yīng)變速率高達(dá)80 / s
  ★任何拉伸圖案
  ★高重復(fù)性

• 成像功能：
  ★拉伸之前，期間和之后
  ★ 2MP分辨率下每秒高達(dá)2,000幀
  ★定制，易于使用的軟件可立測量組織應(yīng)變

• O Graudejus, T. Li, J. Cheng, N. Keiper, RD Ponce Wong, AB Pak, J. Abbas, The effects of bending on the resistance of elastically stretchable metal conductors, and a comparison with stretching. Applied Physics Letters, 2017, 110, 221906

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• WH Kang, W. Cao, O. Graudejus, T. Patel, S. Wagner, D. Meaney, B. Morrison III, Alterations in Hippocampal Network Activity after In Vitro Traumatic Brain Injury, Journal of Neurotrauma, 2015, 32(13), 1011-1019