科研級(jí)CCD相機(jī) 參考價(jià)：面議
IVAC系列科研級(jí)CCD相機(jī)更寬的單次攝譜范圍（30mm 寬像面尺寸），IVAC系列科研級(jí)CCD相機(jī)低暗電流深耗盡的暗電流，比背感光深耗盡低10倍，單片窗口設(shè)計(jì)...
科研級(jí)相機(jī) 參考價(jià)：面議
科研級(jí)相機(jī)采用高品質(zhì)二代或三代像增 強(qiáng)器，是目前高.端科研市場(chǎng)上應(yīng)用廣泛的帶 有時(shí)間閘門的增強(qiáng)型CCD。短曝光時(shí)間 可達(dá)1.2ns，10ps的延遲分辨率，.低的...
探測(cè)器放大器 參考價(jià)：面議
探測(cè)器放大器適合于高阻抗（RD25KΩ）的探測(cè)器PA-101 和 PA-300 低噪聲電壓模式放大器，適用于需要接偏置電 路的MCT 探測(cè)器（DT-MCT（x）...
碲鎘汞探測(cè)器 參考價(jià)：面議
? 碲鎘汞探測(cè)器（HgCdTe）? 液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：2~22μm? 有DT-MCT（x）-De和 DT-MCT11-HS兩種類型， 其中：? D...
銻化銦探測(cè)器 參考價(jià)：面議
? 銻化銦探測(cè)器（InSb）? 液氮制冷型紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：1～5.5μm? 有DT-InSb5-De（x）和DInSb5-HS兩種類型，其中：? DT-I...
砷化銦探測(cè)器（制冷型） 參考價(jià)：面議
砷化銦探測(cè)器（制冷型）? 砷化銦探測(cè)器（InAs）———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng) 范圍：1-3.8μm? DT-InAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào)，其...
硫化鉛探測(cè)器 參考價(jià)：面議
? 硫化鉛探測(cè)器（PbS）? 常溫型紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍：0.8-3.2μm? DT-PbS2900/3200兩種型號(hào)，兩種探測(cè)器室的外觀相同（內(nèi)帶前置放大器）
硅、銦鎵砷探測(cè)器（高速型） 參考價(jià)：面議
硅、銦鎵砷探測(cè)器（高速型）? 818-BB 系列偏置光電探測(cè)器是頗具成本效益的 診斷工具，適合多種高速應(yīng)用，例如查看調(diào) Q、 鎖模或快速調(diào)制激光器的信號(hào)以及皮秒...
InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測(cè)器 參考價(jià)：面議
InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測(cè)器低成本、低噪聲、高靈敏度、高可靠性、高速響應(yīng)
InGaAs系列常溫型銦鎵砷探測(cè)器 參考價(jià)：面議
銦鎵砷探測(cè)器（常溫型）? DT-InGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)InGaAs元件? DT-InGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件? DT-InG...
硅探測(cè)器 參考價(jià)：面議
硅探測(cè)器? 室溫型探測(cè)器? 使用范圍：200-1100nm? 兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同，其中：? DT-Si200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器? DT-Si3...
光電倍增管 參考價(jià)：面議
? 側(cè)窗式，具有電、磁、光屏蔽? 可匹配光譜儀、樣品室等? 通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)BNC插頭輸出信號(hào)? 通過(guò)專.用耐高壓BNC插頭輸入穩(wěn)定高壓? 可內(nèi)置多種型號(hào)的側(cè)窗型光電倍...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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