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目錄:普邁精醫(yī)科技(北京)有限公司>> 真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
  • 真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
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具體成交價以合同協(xié)議為準
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更新時間:2025-05-23 09:21:37瀏覽次數(shù):357評價

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,能源,電子/電池,綜合
集成閃蒸和退火工藝,成膜環(huán)境和成膜過程高度可控

大面積樣品退火受熱均勻,保證相變一致性

快速去除濕膜中的殘余溶劑,均勻的過飽和

變頻調(diào)速羅茨泵實現(xiàn)抽氣速率可控

鈣鈦礦單結(jié)太陽能電池設(shè)備和整線解決方案
提供從設(shè)備配置、技術(shù)服務(wù)、到量產(chǎn)工藝優(yōu)化,以及質(zhì)量控制的全過程解決方案,滿足包含從300mmx300mm到1200mmx2400mm尺寸的全產(chǎn)品線,滿足CE/UL標準,承諾PCE 20%@300mmx300mm電池組件、PCE 18%@0.6mx1.2m電池組件。

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

鈣鈦礦/晶硅疊層太陽能電池設(shè)備和整線解決方案
在單結(jié)鈣鈦礦太陽能電池設(shè)備配置的基礎(chǔ)上,提供一步涂布法或干濕兩步法的鈣鈦礦/晶硅疊層電池制備工藝,包含從182mmx182mm到210mmx210mm尺寸的全產(chǎn)品線,滿足CE/UL標準,承諾高電池效率。

產(chǎn)品介紹:

狹縫涂布設(shè)備 Slot-Die


技術(shù)特點:
  • 多段式供液,涂布膜層均勻性高

  • 通過3個激光傳感器,實現(xiàn)快速自動對刀、防撞刀

  • 搭配高精度注液泵

  • 可采用鈣鈦礦溶劑驗收

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
技術(shù)參數(shù):
真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

技術(shù)特點:
  • 集成閃蒸和退火工藝,成膜環(huán)境和成膜過程高度可控

  • 大面積樣品退火受熱均勻,保證相變一致性

  • 快速去除濕膜中的殘余溶劑,均勻的過飽和

  • 變頻調(diào)速羅茨泵實現(xiàn)抽氣速率可控

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
技術(shù)參數(shù):
真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

激光劃刻設(shè)備 Laser Scriber

技術(shù)特點:
  • P1、P2、P3飛秒、皮秒紅外激光可選

  • 高度定制化,膜面/玻璃面劃刻可選,平頂光斑可選

  • 精度高,具備逐線功能,線間距小

  • 工藝成熟,邊緣光潔,無火山環(huán)及毛邊

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
技術(shù)參數(shù):
真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

蒸鍍設(shè)備 Evaporation System

技術(shù)特點:
  • 多源共蒸,實現(xiàn)大面積鍍膜

  • 熱場和溫控精確

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

技術(shù)參數(shù):
真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing

原子層沉積設(shè)備 Atomic Layer Deposition

技術(shù)特點:
  • 精確控制薄膜厚度

  • 薄膜均勻性高

  • 溫控精度高

  • 全自主工藝腔室設(shè)計,空間型和時間型可選,多片和單片可選

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
技術(shù)參數(shù):
真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing


磁控濺射設(shè)備  Sputtering System

技術(shù)特點:
  • 工藝穩(wěn)定性高

  • 自研氧化鎳反應(yīng)濺射控制器

  • ITO/NiOx靶采用圓柱靶,靶材利用率高

  • 靶-基距可調(diào),低損傷TCO導(dǎo)電膜鍍膜

真空閃蒸及退火設(shè)備 VCD & Annealing
技術(shù)參數(shù):
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