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ICP干法刻蚀是一种常见的微纳加工技术,其原理是利用高频电场将气体离子化,使其形成等离子体,然后将等离子体引入反应室中,利用反应室内的化学反应对材料进行腐蚀或沉积。 在ICP干法刻蚀中,高频电场的作用是将气体分子电离,形成电子和离子。离子在电场的作用下加速运动,并与反应室内的气体分子发生碰撞,进而形成等离子体。等离子体具有高温、高能量的特性,可以对材料进行高效率的加工。 ICP干法刻蚀的特点是能够实现高精度、高速度和高均匀度的刻蚀,且对材料的损伤较小,常用于微电子器件制造、光学器件加工等域。但需要注意的是,在使用ICP干法刻蚀时,应选择合适的气体、功率和反应室温度等参数,以避免对材料造成负面影响。
ICP等离子刻蚀机WINETCH是面向科研及企业研发客户使用需求设计的高性价比ICP等离子体系统。作为一个多功能系统，它通过优化的系统设计与灵活的配置方案，获得高性能ICP刻蚀工艺。该设备结构紧凑占地面积小，专业的机械设计与优化的自动化操作软件使该设备操作简便、安全，且工艺稳定重复性很好。
ICP等离子刻蚀机WINETCH产品特点：
● 4/6/8英寸兼容，单片晶圆真空传输系统
● 低成本高可靠，适合研发及小规模生产
● 设备结构简单，外形小
● 操作简便、便于自动控制、适合大面积基片刻蚀
● 优异的刻蚀均匀性，刻蚀速率快
●满足半导体标准的配方驱动及管理软件控制系统
● 选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小
● 断面轮廓可控性高，刻蚀表面平整光滑
技术参数：
晶圆尺寸：4/6/8英寸兼容
适用工艺：等离子体刻蚀
适用材料：SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy，etc.
适用领域：化合物半导体，MEMS、功率器件、科研等领域
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