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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池 |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直共振腔表面放射激光）技術(shù)目前在在人臉識(shí)別、3D感測(cè)、汽車(chē)自駕駛、手勢(shì)偵測(cè)和VR(虛擬現(xiàn)實(shí))/AR(增強(qiáng)現(xiàn)實(shí))/MR(混合現(xiàn)實(shí)等應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越受到關(guān)注，萊森光學(xué)®可以為客戶(hù)提供VCSELVCSEL-3D SENSING/TOF檢測(cè)解決方案：LIV光譜/功率積分測(cè)試、NF近場(chǎng)特性測(cè)試、FF遠(yuǎn)場(chǎng)特性測(cè)試、BRDF/BTDF光學(xué)材料AR/VR特性測(cè)試、VCSEL積分球,實(shí)現(xiàn)對(duì)VCSEL單體、模組、及晶圓芯片的能量分布和均勻性測(cè)量、光譜波長(zhǎng)及功率測(cè)量、近場(chǎng)遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量等各種定制化應(yīng)用需求。
VCSEL-LIV-NF-FF自動(dòng)化在線晶圓測(cè)量系統(tǒng)由萊森光學(xué)專(zhuān)門(mén)針對(duì)基于6寸 VCSEL晶圓得LIV光譜測(cè)試/NF近場(chǎng)測(cè)試/FF遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試研發(fā)而成，特別適合晶圓線上自動(dòng)化測(cè)量。
主要技術(shù)特點(diǎn)
● 滿(mǎn)足ISO/IEC標(biāo)準(zhǔn)
● 晶圓大支持6寸
● 支持脈沖和CW模式
NF近場(chǎng)測(cè)試
主要技術(shù)指標(biāo)
項(xiàng)目 |
| 規(guī)格 | 單位 |
晶圓參數(shù) | 晶圓尺寸 | ≤6 | inch |
晶圓厚度 | 100~3,000 | μm | |
晶圓曲度 | ≦10 | mm | |
芯片尺寸 | 150~3,000 | μm | |
襯底尺寸 | ≧50 | μm | |
光功率 | 0.1~10,000 | mW | |
波長(zhǎng) | 800~1,100 | nm |
LIV-NF-FF | LS-LIV-1000 | LS-NF-2000 | LS-FF-3000 |
測(cè)量能力 | LIV和光譜功率測(cè)量 | 近場(chǎng)測(cè)試 | 遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試 |
LIV，Leakage current漏電流，Ith閾值電流，Kink，中心波長(zhǎng)（λc），峰值波長(zhǎng)（λp），FWHM半高寬 | 光斑大小、橢圓度、發(fā)散角、功率分布等 | 斑發(fā)散角、能量空間分布、光斑準(zhǔn)直度、對(duì)稱(chēng)度（IEC60825-2） | |
溫控能力 | 5-85℃（標(biāo)準(zhǔn)）， | ||
電流源通道選擇 | 取決于DUT結(jié)構(gòu)，可由PXI基礎(chǔ)配置 | ||
測(cè)量方法 | 雙極，25W /通道，4線，CW和QCW | ||
電壓范圍 | ±100mV, ±300mV, ±600mV；±1V, ±3V, ±6V, ±10V, ±15V, ±30V, | ||
電流范圍 | ±3.5A(≦5V), ±2.5A(≦10V), ±1A, ±100mA, ±10mA, ±1mA, ±100uA, ±10uA, ±1uA | ||
電流脈沖寬度 | >100 μs | ||
脈沖占空比 | 20％ | ||
光學(xué)測(cè)試模塊 | 帶標(biāo)定積分球和光譜儀 | 帶自動(dòng)對(duì)焦顯微鏡系統(tǒng)的CCD攝像頭 | 高速CCD攝像頭/標(biāo)準(zhǔn)板 |