快速溫變?cè)囼?yàn)箱 測(cè)試集成芯片

適應(yīng)于儀器、儀表、電工、電子產(chǎn)品電子零組件，成品、半成品、半導(dǎo)體、化學(xué)、材料等個(gè)中環(huán)境測(cè)試整機(jī)及零部件等作溫度快速變化或漸變條件下的適應(yīng)性試驗(yàn)及應(yīng)力篩選試驗(yàn)以便對(duì)試品在擬定條件下的性能、行為作出分析及評(píng)價(jià)(快速變化)

快速溫變?cè)囼?yàn)箱 測(cè)試集成芯片

技術(shù)參數(shù)：

1.溫度范圍：-40℃～150℃
2.濕度范圍：20%～98%R.H
3.溫度均勻度：≤±2℃（空載時(shí)）
4.濕度均勻度：+2%-3%R.H
5.溫度波動(dòng)度：≤±0.5℃（空載時(shí)）
6.濕度波動(dòng)度：±2%
7.溫度偏差：≤±2℃
8.濕度偏差：≤±2%
9.降溫速率：0.7～1.0℃/min
10.升溫速率：1.0～3.0℃/min
11.時(shí)間設(shè)定范圍：0～999小時(shí)
12.電源電壓：380V±10%

設(shè)備滿足以下標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 10592 -2008 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

GB/T 10586 -2006濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件

GB/T 2423. 1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫

GB/T 2423. 2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

GB/T 2423. 3-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試驗(yàn)

GB/T 2423. 4- -2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db:交變濕熱(12h + 12h循環(huán))

GB/T 2423. 22-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)N:溫度變化

GB/T 5170. 1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法總則

GJB 150. 3A-2009裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第3部分:高溫試驗(yàn)

GJB 150. 4A-2009裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第4部分:低溫試驗(yàn)

GJB150.9A-2009裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第9部分:濕熱試驗(yàn)