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CuInS2/ZnS量子点,硫化亚铜纳米晶体光谱

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更新时间:2020-06-03 09:41:41浏览次数:444次

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CuInS2/ZnS量子点,硫化亚铜纳米晶体光谱CuInS2(CIS)量子点由于其、太阳光吸收系数高、光化学性能稳定在生物、光电领域有很大的应用潜力,然而目前量子产率较低、质量不可控和批量制备工艺的缺乏了它的应用。

CuInS2/ZnS量子点,硫化亚铜纳米晶体光谱

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CuInS2/ZnS量子点,硫化亚铜纳米晶体光谱

产品描述:

CuInS2(CIS)量子点由于其、太阳光吸收系数高、光化学性能稳定在生物、光电领域有很大的应用潜力,然而目前量子产率较低、质量不可控和批量制备工艺的缺乏了它的应用。基于CIS量子点的发光机理和生长动力学研究了CIS和核壳CIS/ZnS量子点荧光效率的合成工艺,并通过调节工艺参数实现了对荧光量子产率的大幅和CIS量子点荧光光谱的调控。在此基础上将烧瓶合成工艺转移到微反应器系统中实现了CIS和CIS/ZnS量子点的连续合成。后,以CIS量子点规?;?,基于微反应器设备的连续化生产工艺进行工程概念设计、投资成本估算和经济效益分析。总体实现了从实验室到生产的全生命周期的研究。主要获得以下结果:  (1)CIS量子点荧光效率的高温液相热处理过程  研究了基于高温液相热处理的方法以CIS量子点的荧光量子产率。分析了CIS的发光机理、液相热处理过程对晶体结晶度和荧光量子产率的影响。结果表明:CIS量子点发光为多能级发光,给体-受体缺陷发光为主要发光方式。CIS颗粒内部和表面的多种缺陷引起的非辐射弛豫是导致颗粒量子产率较低的主要原因。在高温液相环境中和配体存在下晶体表面进行重新溶解与生长,能减少晶体内部杂质和晶体内部、表面缺陷,减少非辐射弛豫的概率,CIS量子点的荧光量子产率从5.7%10.8%。

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