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泰州巨納新能源有限公司

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CVD銅基單層氮化硼薄膜0 返回列表頁(yè)

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品牌2D Semiconductors

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地泰州市

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更新時(shí)間：2024-06-03 16:50:09瀏覽次數(shù)：1376次

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產(chǎn)品分類品牌分類

二維材料: 鈣鈦礦/OLED 異質(zhì)結(jié) MOFS材料其他二維材料二維材料溶液二維材料薄膜二維材料粉末絕緣體黑磷六方氮化硼晶體碲化物晶體硒化物晶體硫化物晶體

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供貨周期	現(xiàn)貨	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,能源,綜合

Single layer h-BN (Boron Nitride) monolayer thick film is grown onto 50 um thick copper foils. h-BN is an insulator with a direct band gap of 6 eV with strong ionic bonding between B-N atoms.

詳情介紹

Single layer h-BN (Boron Nitride) monolayer thick film is grown onto 50 um thick copper foils. h-BN is an insulator with a direct band gap of 6 eV with strong ionic bonding between B-N atoms. Our h-BN CVD process has been adopted in order that defect density has been kept low (~1E10-1E11 cm-2) and single domain sizes have been increased to reduce 1D grain boudary defect concentrations. Monolayer h-BN sheets measure ~5cm x 5cm or ~2x2 inches in size.

Properties of h-BN