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Specifications:Close to complete coverage (90-95%), with some minor holesAverage...

Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates (p-do...

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尺寸：5*10cm厚度：1.6mm銅基六方氮化硼薄膜采用化學氣相沉積法（CVD），在高純銅箔上沉積單層和多層h-BN薄膜。

尺寸：10*10cm厚度：1.6mm銅基六方氮化硼薄膜采用化學氣相沉積法（CVD），在高純銅箔上沉積單層和多層h-BN薄膜。

單層、少層、多層等需求定制；尺寸：10*5cm基底：銅

單層、雙層、多層等需求定制；尺寸：1*1cm基底：石英基底/PET基底/藍寶石基底/Sio2/Si

碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth Telluride) 晶體結構：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓撲絕緣體的晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

二碲化鉿晶體 HfTe2(Hafnium Telluride)晶體尺寸：~10毫米電學性能：半金屬晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.395 nm, ...

二碲化鉬晶體 1T-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶體尺寸：~10毫米電學特性：金屬晶體結構：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.621 ...

二碲化鈮晶體 NbTe2(Niobium Selenide) 晶體尺寸：~8毫米電學性能：金屬，半導體（TC ~ 0.7k）晶體結構：單斜晶系，C晶胞參數(shù)：a＝...

二碲化鈦晶體 TiTe2(Titanium Ditelluride)晶體尺寸：~8毫米電學性能：半金屬晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.377 nm...

二碲化鎢晶體 WTe2(Tungsten Ditelluride) 晶體尺寸：10毫米電學性能：半金屬，type II Weyl semimetal (WSM)...

晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料晶體結構：單斜晶結構晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α...

晶體尺寸：10毫米電學性能：金屬，電荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K）晶體結構：單斜晶晶胞參數(shù)：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C =...

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal Sb2Te3. X-ray diffraction was...

電學性能：半金屬，電荷密度波（CDW，~ 63K），超導體（TC ~ 2K）晶體結構：單斜磷晶胞參數(shù)：a = 0.5864nm，B = 0.3918nm，C =...

二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶體尺寸：~10毫米電學性能：N型半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = ...

二碲化鉬晶體 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)晶體尺寸：~10毫米電學性能：N型半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = ...

二碲化鈀晶體 PdTe2 (Palladium Ditelluride)晶體尺寸：2-3毫米電學性能：金屬，半導體(Tc ~ 1.7K)晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)...