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单(多)晶硅少子寿命测试仪

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     在非标准试验设备方面,更有一套丰富的实践经验,适用国内外不同的领域的生产和测试。世界规范;ISO,BIFMA,ASTM,DIN,EN,GB,JIIS,ANSI,UL,TAPPI,AATCC,IEC,VDE均为所用。

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粗糙度测量仪,粗糙度仪,三坐标测量机,影像测量仪,工具显微镜,轮廓仪,拉力试验机,压力试验机

产地类别 国产

 

单(多)晶少子寿命测试仪 

 

型号LT-2

LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国A.S.T.M标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单(多)晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

本仪器根据通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

技 术 指 标:

测试单晶电阻率范围>2Ω.cm

可测单晶少子寿命范围5μS~7000μS

配备光源类型波长:1.09μm;余辉<1μS;

闪光频率为:20~30次/秒;

闪光频率为:20~30次/秒;

高频振荡源用石英谐振器,振荡频率:30MHz

前置放大器放大倍数约25,频宽2Hz-1MHz

仪器测量重复误差<±20%

测量方式采用对标准曲线读数方式

仪器消耗功率<25W

仪器工作条件温度:10-35℃、湿度<80%、使用电源:AC220V,50Hz

可测单晶尺寸断面竖测:φ25mm—150mm;L2mm—500mm;

纵向卧测:φ25mm—150mm;L50mm—800mm;

配用示波器频宽0—20MHz;

电压灵敏:10mV/cm。

 

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